探測器產(chǎn)品及廠家
北京、沈陽、濟(jì)南、成都、西安、廣州、武漢、青島專區(qū)氣體探測器報(bào)警器探頭
更新時(shí)間:2025-05-15
mic-200-ir3三波段紅外火焰探測器是一種質(zhì)量可靠的高效能火焰探測器，它運(yùn)用先進(jìn)的火焰分析和識別技術(shù)，能快速響應(yīng)火災(zāi)中的紅外輻射，且具有高的誤報(bào)免疫力。mic-200-ir3探測器內(nèi)含三個(gè)窄帶紅外傳感器（4-6微米）和光學(xué)過濾器，對二氧化碳發(fā)射光譜（4.4微米）具有較高的靈敏度，能有效排除干擾，實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離地有效探測火焰。
更新時(shí)間:2025-05-15
mic-200-ir3三波段紅外火焰探測器是一種質(zhì)量可靠的高效能火焰探測器，它運(yùn)用先進(jìn)的火焰分析和識別技術(shù)，能快速響應(yīng)火災(zāi)中的紅外輻射，且具有高的誤報(bào)免疫力。mic-200-ir3探測器內(nèi)含三個(gè)窄帶紅外傳感器（4-6微米）和光學(xué)過濾器，對二氧化碳發(fā)射光譜（4.4微米）具有較高的靈敏度，能有效排除干擾，實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離地有效探測火焰。
更新時(shí)間:2025-05-15
mic-200-ir3三波段紅外火焰探測器是一種質(zhì)量可靠的高效能火焰探測器，它運(yùn)用先進(jìn)的火焰分析和識別技術(shù)，能快速響應(yīng)火災(zāi)中的紅外輻射，且具有高的誤報(bào)免疫力。mic-200-ir3探測器內(nèi)含三個(gè)窄帶紅外傳感器（4-6微米）和光學(xué)過濾器，對二氧化碳發(fā)射光譜（4.4微米）具有較高的靈敏度，能有效排除干擾，實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離地有效探測火焰。
更新時(shí)間:2025-05-15
三波段紅外火焰探測器mic-200-ir3mic-200-ir3三波段紅外火焰探測器是一種質(zhì)量可靠的高效能火焰探測器，它運(yùn)用先進(jìn)的火焰分析和識別技術(shù)，能快速響應(yīng)火災(zāi)中的紅外輻射，且具有高的誤報(bào)免疫力。mic-200-ir3探測器內(nèi)含三個(gè)窄帶紅外傳感器（4-6微米）和光學(xué)過濾器，對二氧化碳發(fā)射光譜（4.4微米）具有較高的靈敏度，能有效排除干擾，實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離地有效探測火焰。
更新時(shí)間:2025-05-15
美國派克parker 壓力補(bǔ)償器 spc0201101c5a。優(yōu)勢價(jià)格全面供應(yīng)美國派克parker接頭、派克parker管、派克parker泵、派克parker閥、派克parker傳感器、派克parker過濾器、派克parker氣缸、派克parker控制器、派克parker電機(jī)、派克parker變頻器等產(chǎn)品。100%進(jìn)口原裝，可提供原裝證明！
更新時(shí)間:2025-05-15
美國派克parker 驅(qū)動器 slvd5nd。優(yōu)勢價(jià)格全面供應(yīng)美國派克parker接頭、派克parker管、派克parker泵、派克parker閥、派克parker傳感器、派克parker過濾器、派克parker氣缸、派克parker控制器、派克parker電機(jī)、派克parker變頻器等產(chǎn)品。100%進(jìn)口原裝，可提供原裝證明！
更新時(shí)間:2025-05-15
美國派克parker 壓力補(bǔ)償器 spc0611x10cb1。優(yōu)勢價(jià)格全面供應(yīng)美國派克parker接頭、派克parker管、派克parker泵、派克parker閥、派克parker傳感器、派克parker過濾器、派克parker氣缸、派克parker控制器、派克parker電機(jī)、派克parker變頻器等產(chǎn)品。100%進(jìn)口原裝，可提供原裝證明！
更新時(shí)間:2025-05-15
terasense的超快探測器ultrafast，通過直接觀察其脈沖響應(yīng)函數(shù)證實(shí)響應(yīng)時(shí)間小于150 ps。用廣譜范圍為0.1至3thz的，200nj、1ps的激光脈沖激發(fā)該探測器，其響應(yīng)由高速示波器記錄。響應(yīng)功能顯示了由示波器4 ghz帶寬限制的150 ps的上升和下降時(shí)間。測量的短響應(yīng)時(shí)間使得我們的探測器可以直接研究thz科學(xué)和電信中的快速瞬態(tài)過程。
更新時(shí)間:2025-05-14
響應(yīng)波長范圍 2-12μm；佳波長 3μm；相對響應(yīng)強(qiáng)度≥7×10^10 cm∙hz^(1/2)/w@3μm；光敏面 0.1×0.1mm^2；抗反射涂層窗口
更新時(shí)間:2025-05-14
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面直徑@2mm 波長800-1700nm (可擴(kuò)展到2600nm,5mhz) 峰值響應(yīng)0.9 a/w@1550nm ,9mv/uw@1550nm 飽和光功率660 uw@1550nm (hi-z) 帶寬 dc •-5mhz
更新時(shí)間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應(yīng)度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應(yīng)度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
波長: 1100~1700nm,帶寬:200 mhz,探測器響應(yīng)度 0.95@1550nm aw
更新時(shí)間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30；接頭 fc/apc
更新時(shí)間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30mm
更新時(shí)間:2025-05-14
高跨阻增益: 7500 v/w (1550nm) 帶寬:200 mhz 直流耦合 2個(gè)顯示器輸出(未校準(zhǔn)) 波長范圍:1000nm至1700nm 光纖耦合:光纖通道接收器 輸出: 50 ω sma插頭 寬范圍單電源:11至15 v
更新時(shí)間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 1530nm-1565nm；帶寬 dc-50m；外形尺寸 120*100*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
工作波長 1550nm；光敏面直徑 800um；電壓響應(yīng)度 5 mv/w； 象限間隔 50um；光敏材料 ingaas
更新時(shí)間:2025-05-14
光譜響應(yīng)范圍 1000-2600nm；光敏面直徑 2mm；響應(yīng)度 75% @1550nm,100@@2000nm；ingaas銦鎵砷探測器模塊；工作帶寬 50mhz
更新時(shí)間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-350m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
器件類型 ingaas apd；工作波長 950～1650nm；陣列規(guī)模 4x4；像元大小 100μm x 100μm；光敏面大小 85μm x 85μm；石英光窗；探測效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
更新時(shí)間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 1510-1590nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 120*100*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
光譜響應(yīng)范圍 450-2700nm，光敏面直徑 2mm，響應(yīng)度 1.0a/w @2.2um，ingaas銦鎵砷探測器，封裝規(guī)格 to-5
更新時(shí)間:2025-05-14
光敏面直徑 16mm；直流響應(yīng)度 0.3a/w； 光敏材料 si； 擊穿電壓 200v
更新時(shí)間:2025-05-14
8mm光敏面直徑，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜25ns，to8封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
6mm光敏面，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns,to8封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
4mm光敏面，法蘭式結(jié)構(gòu)，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns，to8封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
200um光敏面直徑,法蘭式結(jié)構(gòu)，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns
更新時(shí)間:2025-05-14
200um光敏面直徑,單模光纖耦合，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns，fc/apc接頭
更新時(shí)間:2025-05-14
2mm直徑光敏面，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜8ns，to5封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波長320-1100nm 峰值響應(yīng)0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 飽和光功率6uw @960nm(hi-z) 帶寬dc - 200khz
更新時(shí)間:2025-05-14
工作波長400~1100nm 帶寬100mhz 探測器型號: si硅 探測器響應(yīng)度 0.55@850nm
更新時(shí)間:2025-05-14
峰值波長λp：3.35μm 截止波長λc：3.65μm 光靈敏度：1.0a/w 峰值探測率d*：4.5 × 109（cm·hz1/2/w） nep：1.5 × 10-11（w/hz1/2） to-5封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
響應(yīng)波長范圍 2-5.5μm；峰值波長 2.9μm；相對響應(yīng)強(qiáng)度 ≥5×10^11 cm∙hz^(1/2)/w@2.9μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時(shí)間:2025-05-14
響應(yīng)波長范圍 800-1800nm；響應(yīng)度 0.95 a/w；有效面積 10 mm x 10 mm；材料 ge
更新時(shí)間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.９ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ｇｈｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：bnc
更新時(shí)間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應(yīng)度：0.9ａ／ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ｇｈｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接,fc/upc
更新時(shí)間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應(yīng)度：０.7ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ｇｈｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 fc/upc、smf28e
更新時(shí)間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應(yīng)度：０.7ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ｇｈｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 不適用
更新時(shí)間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.６５ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ｇｈｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 fc/upc,smf28e
更新時(shí)間:2025-05-14
響應(yīng)超過20ghz的超快中紅外光電探測器 頻率響應(yīng)范圍 (-3 db): 直流到 20 ghz 敏感波長峰值: 4.65 μm 光敏性: 1 ma/w (典型值) 無需冷卻，無需偏置操作
更新時(shí)間:2025-05-14
工作波長范圍 1000-1650nm；電壓響應(yīng)度 2 mv/w；-3db帶寬 2mhz；飽和輸入光功率 -30dbm
更新時(shí)間:2025-05-14
koheron pd100b是一款增益為39kv/a、帶寬為100mhz、共模抑制比為35db的放大平衡探測器。pd100b有交流和直流耦合版本，可安裝ingaas光電二極管或不安裝光電二極管，是光學(xué)相干層析成像和激光探測等應(yīng)用的理想選擇。
更新時(shí)間:2025-05-14
該bd系統(tǒng)配備了電子混合路徑，用于控制信號的解調(diào)和誤差信號的生成，以鎖定壓縮真空態(tài)和bd本地振蕩器的相對相位。通過這種方式，能夠?qū)崿F(xiàn)長時(shí)間測量并穩(wěn)定控制壓縮量子噪聲。調(diào)制/解調(diào)頻率通常設(shè)定在1 mhz到80 mhz之間，具體根據(jù)客戶需求。
更新時(shí)間:2025-05-14
最新產(chǎn)品
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